Universität des Saarlandes: Halbleiter Silizium im Fokus der Ringvorlesung am 18. Januar 2012

Verständnis der Abscheidung kristallinen und amorphen Siliziums kommt herausragende technologische Bedeutung zu

[Auf dem Campus, 14.01.2012] Das Halbmetall Silizium ist die Grundlage für den überwiegenden Teil heute verwendeter Mikroprozessoren und Solarzellen. Dem Verständnis der Abscheidung kristallinen und amorphen Siliziums kommt damit herausragende technologische Bedeutung zu; Struktur und Eigenschaften von Silizium-Oberflächen sind entscheidend für physikalische Eigenschaften und chemische Modifizierung.
Auch in diesem Semester bietet die Universität des Saarlandes öffentliche Ringvorlesungen an, die sich an ein breites Publikum richten. Am 18. Januar 2012 erfahren die Zuhörer etwas über molekulare Modelle für Siliziumoberflächen:

18. Januar 2012, 19 Uhr, Haus der Zukunft, Richard-Wagner-Straße 14-16, Saarbrücken

Ringvorlesung „Chemie – Nichts geht ohne sie“, Prof. Dr. David Scheschkewitz: „Baumelnde Bindungen und bucklige Paare: Molekulare Modelle für Siliciumoberflächen“
Der Eintritt zu den Ringvorlesungen ist frei – Interessierten sind herzlich eingeladen.

Der Vortrag gibt eine Einführung in die faszinierenden Besonderheiten des Halbleiters Silizium und gibt Beispiele, wie die präparative Chemie erhellende Beiträge zu dessen Verständnis liefern kann.

Weitere Informationen zum Thema:

UNIVERSITÄT DES SAARLANDES
Chemie – nichts geht ohne sie! / Öffentliche Ringvorlesung zum Jahr der Chemie im Wintersemester 2011/12

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